力旺抢物联网商机 推进阶版NeoFuse硅智财

力旺宣布在55奈米超低功耗制程平台推出进阶版NeoFuse硅智财并完成特性规格验证，强攻物联网在低功耗与安全防护的应用需求，已获得客户採用于產品设计，并准备进入试產阶段。

嵌入式非挥发性硅智财（eNVM IP）供应商力旺电子（3529）公告第一季合併营收3.20亿元，顺利创下歷史新高，法人乐观预估单季每股净利有机会超过2元。力旺继完成16奈米硅智财后，昨（7）日宣布在55奈米超低功耗制程平台推出进阶版NeoFuse硅智财并完成特性规格验证，强攻物联网在低功耗与安全防护的应用需求，已获得客户採用于產品设计，并准备进入试產阶段。

第一季是硅智财营收认列淡季，但力旺去年下半年成功扩大eNVM IP在各领域的应用，并已进入量產投片阶段，也因此，力旺公告三月营收4,563万元，较去年同期大增65.8％，第一季合併营收季增6.3％达3.20亿元，创下歷史新高，与去年同期相较亦大幅成长23.7％。法人推估，力旺第一季每股净利可望赚逾2元，力旺则不评论法人预估财务数字。

力旺昨日宣布在55奈米超低功耗制程平台推出进阶版NeoFuse硅智财并完成特性规格验证，强攻物联网在低功耗与安全防护的应用需求。力旺表示，进阶版NeoFuse硅智财拥有低电压操作、硅智财面积最佳化与内建电荷帮浦（Charge Pumping）线路优势，能协助客户在电池供电及物联网应用產品的设计上提升线路设计灵活性与晶片整合度，更进一步达到最佳能耗表现。

此外，其独特的密码金钥与随机编码產生（Random Seed Generation）功能，更能为物联网应用產品打造安全的资料传送环境，进而提升客户產品附加价值，强化市场竞争力。

建构于55奈米超低功耗制程平台的进阶版NeoFuse硅智财，具备0.9伏超低读取电压的特性，使得系统晶片得以在功能启动的最初阶段即完成参数的设定与资料的读取。除此之外，此解决方案仅须增加微幅的面积，即可嵌入内建电荷帮浦线路，提供在编程模式（Programming Mode）下写入资料所需要的高电压。在不需要考虑提供高电压的情况下，客户採用嵌入式非挥发性记忆体解决方案的步骤得以简化，进而加速產品开发，取得市场先机。

为满足物联网產品的应用需求，超低功耗制程平台上的嵌入式逻辑非挥发性记忆体解决方案将朝向宽幅的工作电压区间、以及在有限增幅面积下纳入更多内建功能的趋势发展。力旺硅智财布局与市场脉动紧密连结，于已布建NeoFuse技术的各制程平台上提供进阶版NeoFuse硅智财，为物联网相关应用客户提供兼顾能耗、效能与安全防护的最佳解决方案。

力旺去年合併营收年增8.8％达10.92亿元，营业利益年增12.3％达5.21亿元，营益率高达47.7％，归属母公司税后净利4.79亿元，年增14.3％，每股净利6.32元。也就是说，力旺去年的合併营收、营业利益、营益率、税后净利、每股净利等重要财务数字均同创歷史新高。力旺董事会亦决议今年将配发6元现金股利。

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