三星发力移动端 HBM，端侧 AI 手机性能将迎大突破-物联网的那些事

5 月 15 日，据韩媒 Etnews 报道，三星电子正全力研发面向移动设备的下一代 HBM（高带宽内存）技术，目标是为智能手机、平板等终端带来更强悍的端侧 AI 算力。

一、传统内存瓶颈，制约端侧 AI 发展

目前移动设备主流的 LPDDR 内存，采用引线键合（Wire Bonding）技术，存在明显短板：

I/O 数量有限：数据传输通道窄，带宽上限低

信号损耗大：数据传输效率不高

散热效率不足：难以适配高负载 AI 运算

这些问题让传统内存无法满足端侧 AI 大模型对大容量、高带宽的需求，成为移动端 AI 性能提升的关键瓶颈。

二、技术革新：VCS+FOWLP 双管齐下

为突破限制，三星采用改进版 VCS（垂直铜柱堆叠）+ 多层堆叠 FOWLP（扇出型晶圆级封装）组合方案：

升级 VCS，提升带宽潜力

将芯片内部铜柱纵横比从 3:1~5:1 大幅提升至 15:1~20:1，在有限空间内可布置更多铜线，大幅拓宽数据传输通道。

FOWLP 补强，解决稳定性难题

铜柱直径低于 10 微米易弯曲、断裂，三星引入 FOWLP 技术，先对芯片模塑，再将布线向外围扩展，既为铜柱提供物理支撑，又优化散热，保障技术稳定性。

三、性能跃迁，端侧 AI 迎来新可能

这套方案若成功验证，将带来显著性能提升：

带宽提升 15%-30%，数据传输速度大幅加快

相同空间容纳更多 I/O 接口，内存容量与堆叠层数同步提升

适配移动端严苛功耗、散热要求，让服务器级 HBM 技术落地手机成为可能

四、商用展望：或搭载新一代 Exynos 芯片

目前该技术仍在研发阶段，业内预计，三星最快会在Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900中集成相关技术，届时搭载该技术的手机，端侧 AI 运行大模型的流畅度、响应速度将迎来质的飞跃。

随着端侧 AI 成为手机行业竞争焦点，三星此次 HBM 技术研发，不仅是内存领域的突破，更将为移动端 AI 生态发展注入强劲动力，未来手机本地运行复杂 AI 应用的体验值得期待。

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三星发力移动端 HBM，端侧 AI 手机性能将迎大突破