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物联网产品设计

22nm 存内计算芯片落地!TetraMem 突破边缘 AI 功耗与延迟瓶颈

当地时间 5 月 19 日,硅谷存内 AI 计算企业 TetraMem 正式宣布,旗下基于台积电 22nm 工艺打造的多比特 RRAM 模拟存内计算 SoC 平台 MLX200,已圆满完成流片、生产与硅片实测验证,评估套件预计于 2026 年下半年推出。这一里程碑式突破,为低功耗、低延迟边缘 AI 应用商业化按下加速键,也让存内计算技术从实验室迈向大规模产业...